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IRFH3702TR2PBF

IRFH3702TR2PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH3702TR2PBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R


TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 30V; 16A; 2.8W; PQFN3X3


IRFH3702TR2PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.8 W

极性 N-Channel

耗散功率 2.80 W

产品系列 IRFH3702

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 16.0 A, 16.0 mA

输入电容Ciss 1510pF @15VVds

额定功率Max 2.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 QFN-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.95 mm

封装 QFN-8

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFH3702TR2PBF引脚图与封装图
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IRFH3702TR2PBF International Rectifier 国际整流器 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 搜索库存