IKD03N60RFATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

IKD03N60RFATMA1 编带

IGBT 沟槽型场截止 600 V 6.5 A 53.6 W 表面贴装型 PG-TO252-3

得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

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IKD03N60RFATMA1

欧时:
Infineon IKD03N60RFATMA1

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 3-Pin TO-252 T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R

IKD03N60RFATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 53.6 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 53.6 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 53600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Hard switching topologies up to 1.0kW, General purpose inverters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKD03N60RFATMA1引脚图与封装图

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