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IRFR3518PBF

IRFR3518PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3Pin2+Tab DPAK Tube

**N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
IRFR3518PBF N-channel MOSFET Transistor, 38 A, 80 V, 3-Pin DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


IRFR3518PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 38.0 A

漏源极电阻 29 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR3518

阈值电压 4 V

输入电容 1710pF @25V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 1710pF @25VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.26 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFR3518PBF引脚图与封装图
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型号: IRFR3518PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 80V 30A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3Pin2+Tab DPAK Tube

当前型号

型号: STD30NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 60V 35A 22mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V

IRFR3518PBF和STD30NF06LT4的区别

型号: STD25NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFR3518PBF和STD25NF10LT4的区别

型号: STD25NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

IRFR3518PBF和STD25NF10T4的区别