额定电压DC 80.0 V
额定电流 38.0 A
漏源极电阻 29 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFR3518
阈值电压 4 V
输入电容 1710pF @25V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 1710pF @25VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.26 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR3518PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3Pin2+Tab DPAK Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR3518PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 80V 30A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 80V 38A 3Pin2+Tab DPAK Tube | 当前型号 | |
型号: STD30NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 35A 22mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V | IRFR3518PBF和STD30NF06LT4的区别 | |
型号: STD25NF10LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFR3518PBF和STD25NF10LT4的区别 | |
型号: STD25NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V | IRFR3518PBF和STD25NF10T4的区别 |