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IPG20N04S412ATMA1

IPG20N04S412ATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S412ATMA1, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPG20N04S412ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0111 Ω

极性 N-CH

耗散功率 41 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 1470pF @25VVds

额定功率Max 41 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-4

外形尺寸

长度 5.15 mm

宽度 6.15 mm

高度 1 mm

封装 PG-TDSON-8-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Small loads control switching, Body applications

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPG20N04S412ATMA1引脚图与封装图
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