IPG20N04S4L11ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0101 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 1530pF @25VVds
额定功率Max 41 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-4
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Body applications, Small loads control switching, 车用, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPG20N04S4L11ATMA1引脚图
IPG20N04S4L11ATMA1封装图
IPG20N04S4L11ATMA1封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPG20N04S4L11ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |