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IRF1018EPBF

IRF1018EPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF1018EPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 7.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRF1018E

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 79.0 A

输入电容Ciss 2290pF @50VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF1018EPBF引脚图与封装图
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IRF1018EPBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube 搜索库存
替代型号IRF1018EPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF1018EPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220-3 N-Channel 60V 79A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

当前型号

型号: STP65NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 600V 30A 1.7nF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP65NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V

IRF1018EPBF和STP65NF06的区别

型号: STP60NF06L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRF1018EPBF和STP60NF06L的区别

型号: STP80NF55L-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

IRF1018EPBF和STP80NF55L-06的区别