![IRF1018EPBF](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_174/chanpintu/irf1018epbf-U3cI8suG-8ZlJNyODo.png)
漏源极电阻 7.1 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRF1018E
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 79.0 A
输入电容Ciss 2290pF @50VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF1018EPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF1018EPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220-3 N-Channel 60V 79A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 当前型号 | |
型号: STP65NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 600V 30A 1.7nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V | IRF1018EPBF和STP65NF06的区别 | |
型号: STP60NF06L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF1018EPBF和STP60NF06L的区别 | |
型号: STP80NF55L-06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V | IRF1018EPBF和STP80NF55L-06的区别 |