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IPD30N06S2L13ATMA1

IPD30N06S2L13ATMA1

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IPD30N06S2L13ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V

The IPD30N06S2L-13 is a N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.

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AEC-Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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Green device
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100% Avalanche tested
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Highest current capability
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World"s lowest RDS at 55V on in planar technology
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD30N06S2L13ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0106 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 30A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

制造应用 车用, Automotive, 电机驱动与控制, 照明, Lighting, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD30N06S2L13ATMA1引脚图与封装图
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IPD30N06S2L13ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD30N06S2L13ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0106 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存