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IPP50R500CEXKSA1

IPP50R500CEXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R500CEXKSA1, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R500CEXKSA1, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET COOL MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 7.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 57W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 7.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP50R500CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 57 W

极性 N-CH

耗散功率 57 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7.6A

输入电容Ciss 433pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 57 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP50R500CEXKSA1引脚图与封装图
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IPP50R500CEXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R500CEXKSA1, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存