IPP50R500CEXKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 57 W
极性 N-CH
耗散功率 57 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 7.6A
输入电容Ciss 433pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 57 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP50R500CEXKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R500CEXKSA1, 7.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装 | 搜索库存 |