
额定电流 4.70 A
漏源极电阻 50 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7343
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
热阻 62.5℃/W RθJA
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7343PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7343PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 55V 4.7A | 当前型号 | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8Pin SOIC Tube | 当前型号 | |
型号: AO4612 品牌: 万代半导体 封装: 8-SOIC N+P 60V 4.5A 3.2A | 功能相似 | SOIC N+P 60V 4.5A/3.2A | IRF7343PBF和AO4612的区别 |