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IRF7309PBF

IRF7309PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

1个N沟道和1个P沟道 30V 3A 4A

Description

Fifth Generation HEXFETs from utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design for which HEXFET Power MOSFETs are well known, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

  Generation V Technology

  Ultra Low On-Resistance

  Dual N and P Channel Mosfet

  Surface Mount

  Available in Tape & Reel

  Dynamic dv/dt Rating

  Fast Switching

  Lead-Free

IRF7309PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电流 4.00 A

漏源极电阻 50 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.4 W

产品系列 IRF7309

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

热阻 62.5 K/W

输入电容Ciss 520pF @15VVds

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF7309PBF引脚图与封装图
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替代型号IRF7309PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7309PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 30V 4.7A

当前型号

1个N沟道和1个P沟道 30V 3A 4A

当前型号

型号: STS8C5H30L

品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 30V 8A 22mΩ

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STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

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