IPB022N04LGATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 40V 90A

N-Channel 40V 90A Tc 167W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

IPB022N04LGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 167W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 90A

输入电容Ciss 13000pF @20VVds

额定功率Max 167 W

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB022N04LGATMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPB022N04LGATMA1

型号	制造商	描述	购买
IPB022N04LGATMA1	Infineon 英飞凌	D2PAK N-CH 40V 90A	搜索库存