IPD65R650CEATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 650V 7A

N-Channel 650V 10.1A Tc 86W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3

贸泽:
MOSFET CONSUMER

艾睿:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-TO252-3

IPD65R650CEATMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 63 W

通道数 1

漏源极电阻 650 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 86W Tc

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 86W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPD65R650CEATMA1引脚图与封装图

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