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IRF7832PBF

IRF7832PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 30V 20A

**N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
HEXFET POWER MOSFET


立创商城:
N沟道 30V 20A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 3.1Milliohms; ID 20A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC


IRF7832PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 20.0 A

漏源极电阻 4.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7832

输入电容 4310pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 12.3 ns

输入电容Ciss 4310pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

IRF7832PBF引脚图与封装图
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