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IRF8513TRPBF

IRF8513TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 8A/11A 8Pin SOIC T/R

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A/11A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
IRF8513TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/11A 8-Pin SOIC T/R


IRF8513TRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 2.4 W

产品系列 IRF8513

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF8513TRPBF引脚图与封装图
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