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IRF7311PBF

IRF7311PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

2个N沟道 20V 6.6A

Description

Fifth Generation HEXFETs from utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Generation V Technology

• Ultra Low On-Resistance

• Dual N-Channel MOSFET

• Surface Mount

• Fully Avalanche Rated

• Lead-Free

IRF7311PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 6.60 A

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7311

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 6.60 A

上升时间 17.0 ns

输入电容Ciss 900pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF7311PBF引脚图与封装图
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型号: IRF7311PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 20V 6.6A

当前型号

2个N沟道 20V 6.6A

当前型号

型号: STS5DNF20V

品牌: 意法半导体

封装: SOIC Dual N-Channel 20V 5A 30mohms

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