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IRF640NPBF

IRF640NPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF640NPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新

**N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
18A,200V,N沟道功率MOSFET


IRF640NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

产品系列 IRF640N

阈值电压 4 V

输入电容 1160pF @25V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 19.0 ns

热阻 1℃/W RθJC

输入电容Ciss 1160pF @25VVds

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF640NPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF640NPBF International Rectifier 国际整流器 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF640NPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新 搜索库存
替代型号IRF640NPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF640NPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220AB N-Channel 200V 18A

当前型号

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF640NPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新

当前型号

型号: STP19NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 7.5A

功能相似

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRF640NPBF和STP19NF20的区别

型号: STP20NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 200V 18A 125mΩ 940pF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V

IRF640NPBF和STP20NF20的区别

型号: IRFZ14PBF

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

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