额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
产品系列 IRF640N
阈值电压 4 V
输入电容 1160pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 19.0 ns
热阻 1℃/W RθJC
输入电容Ciss 1160pF @25VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF640NPBF | International Rectifier 国际整流器 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF640NPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220AB N-Channel 200V 18A | 当前型号 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新 | 当前型号 | |
型号: STP19NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 7.5A | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF640NPBF和STP19NF20的区别 | |
型号: STP20NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 200V 18A 125mΩ 940pF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V | IRF640NPBF和STP20NF20的区别 | |
型号: IRFZ14PBF 品牌: 威世 封装: TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRF640NPBF和IRFZ14PBF的区别 |