IPS050N03LGAKMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-251 N-CH 30V 50A

通孔 N 通道 30 V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3-11

得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; IPAK SL

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube

IPS050N03LGAKMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 68 W

极性 N-CH

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 3200pF @15VVds

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

制造应用 VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPS050N03LGAKMA1引脚图与封装图

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