IPD050N03LG
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IPD050N03LG中文资料参数规格
技术参数
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 2400pF @15VVds
下降时间 3.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 DPAK-2
外形尺寸
封装 DPAK-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD050N03LG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD050N03LG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD050N03LG | Infineon 英飞凌 | 快速开关MOSFET的开关电源优化技术， DC / DC转换器 Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters | 搜索库存 |
替代型号IPD050N03LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD050N03LG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 快速开关MOSFET的开关电源优化技术， DC / DC转换器 Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters | 当前型号 |
| 型号： IPB055N03LG 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK | 功能相似 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | IPD050N03LG和IPB055N03LG的区别 |