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IRFL4105PBF

IRFL4105PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.045Ω; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V

**N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.045Ohm; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


IRFL4105PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 3.70 A

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

产品系列 IRFL4105

阈值电压 4 V

输入电容 660pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

上升时间 12.0 ns

输入电容Ciss 660pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

高度 1.45 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFL4105PBF引脚图与封装图
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IRFL4105PBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.045Ω; ID 3.7A; SOT-223; PD 1W; VGS +/-20V 搜索库存