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IRF7101TRPBF

IRF7101TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.1Ω; ID 3.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-12V

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.1Ohm; ID 3.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-12V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC


IRF7101TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 3.50 A

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7101

阈值电压 3 V

输入电容 320pF @15V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 320pF @15VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7101TRPBF引脚图与封装图
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