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IRF8313PBF

IRF8313PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

IRF8313PBF 编带

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 9.7A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
HEXFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC Tube


IRF8313PBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 15.5 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF8313

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.10 A

输入电容Ciss 760pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 3.9 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF8313PBF引脚图与封装图
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替代型号IRF8313PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF8313PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: 8-SOIC N-Channel 30V 8.1A

当前型号

IRF8313PBF 编带

当前型号

型号: STS9D8NH3LL

品牌: 意法半导体

封装: 8-SOIC N-CH 30V 8A 9A

功能相似

30V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET

IRF8313PBF和STS9D8NH3LL的区别