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IRLR7807ZPBF

IRLR7807ZPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 30V 43A

**N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
HEXFET POWER MOSFET


立创商城:
N沟道 30V 43A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., 30V, 43A, 13.8 MOHM, 7 NC QG, D-PAK, Pb-Free


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


IRLR7807ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 43.0 A

漏源极电阻 18.2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

产品系列 IRLR7807Z

阈值电压 1.8 V

输入电容 780pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 43.0 A

上升时间 28.0 ns

输入电容Ciss 780pF @15VVds

额定功率Max 40 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.26 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRLR7807ZPBF引脚图与封装图
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替代型号IRLR7807ZPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR7807ZPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 30V 43A

当前型号

N沟道 30V 43A

当前型号

型号: STD40NF03LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 30V 20A 9mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V

IRLR7807ZPBF和STD40NF03LT4的区别