额定电压DC 200 V
额定电流 5.00 A
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
产品系列 IRFR220N
输入电容 300pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 11.0 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
额定功率Max 43 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR220NTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 600 Milliohms; ID 5A; D-Pak TO-252AA; PD 43W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR220NTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 200V 5A | 当前型号 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 600 Milliohms; ID 5A; D-Pak TO-252AA; PD 43W | 当前型号 | |
型号: STD5N20LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 200V 5A 650mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V | IRFR220NTRLPBF和STD5N20LT4的区别 | |
型号: STD7NS20T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 200V 7A 350mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V | IRFR220NTRLPBF和STD7NS20T4的区别 | |
型号: AOD450 品牌: 万代半导体 封装: TO-252 N-CH 200V 3.8A | 功能相似 | 200V,3.8A,N沟道MOSFET | IRFR220NTRLPBF和AOD450的区别 |