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IRLHS6276TR2PBF

IRLHS6276TR2PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

双 N 通道功率 MOSFET,Infineon

Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N 通道配置。


欧时:
### HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R


TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 20V; 3.4A; 1.5W; PQFN2X2


IRLHS6276TR2PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.5 W

漏源极电阻 33 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

产品系列 IRLHS6276

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 310pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 QFN

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.95 mm

封装 QFN

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRLHS6276TR2PBF引脚图与封装图
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IRLHS6276TR2PBF International Rectifier 国际整流器 HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存