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IRF9333PBF

IRF9333PBF

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International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8Pin SOIC N Tube

**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
IRF9333PBF P-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube


IRF9333PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 32.5 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF9333

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -9.20 A

输入电容Ciss 1110pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF9333PBF引脚图与封装图
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