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IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.065Ω; ID 4.4A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-16V

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223


IRLL024NTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 3.10 A

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

产品系列 IRLL024N

输入电容 510pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 4.40 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

高度 1.45 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRLL024NTRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLL024NTRPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.065Ω; ID 4.4A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-16V 搜索库存
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型号: IRLL024NTRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOT-223 N-Channel 55V 4.4A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.065Ω; ID 4.4A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-16V

当前型号

型号: STN3NF06L

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 60V 4A 100mΩ

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