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IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 100V 9.4A

**N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK


立创商城:
N沟道 100V 9.4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.21Ohm; ID 9.4A; D-Pak TO-252AA; PD 48W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK


IRFR120NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 9.10 A

漏源极电阻 0.21 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

产品系列 IRFR120N

输入电容 330pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 9.40 A

上升时间 23.0 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

额定功率Max 48 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFR120NPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR120NPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道 100V 9.4A 搜索库存
替代型号IRFR120NPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR120NPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 100V 9.4A

当前型号

N沟道 100V 9.4A

当前型号

型号: STD6NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 3A 220mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V

IRFR120NPBF和STD6NF10T4的区别

型号: IRFR120PBF

品牌: 威世

封装: DPAK N-Channel 100V 7.7A 270mΩ

功能相似

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

IRFR120NPBF和IRFR120PBF的区别

型号: IRFR120TRPBF

品牌: 威世

封装: TO-252-3 N-Channel 100V 7.7A 270mΩ

功能相似

TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ

IRFR120NPBF和IRFR120TRPBF的区别