额定电压DC 100 V
额定电流 9.10 A
漏源极电阻 0.21 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
产品系列 IRFR120N
输入电容 330pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 23.0 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
额定功率Max 48 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR120NPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道 100V 9.4A | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号: IRFR120NPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 100V 9.4A | 当前型号 | N沟道 100V 9.4A | 当前型号 |
| 型号: STD6NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 3A 220mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V | IRFR120NPBF和STD6NF10T4的区别 |
| 型号: IRFR120PBF 品牌: 威世 封装: DPAK N-Channel 100V 7.7A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | IRFR120NPBF和IRFR120PBF的区别 |
| 型号: IRFR120TRPBF 品牌: 威世 封装: TO-252-3 N-Channel 100V 7.7A 270mΩ | 功能相似 | TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ | IRFR120NPBF和IRFR120TRPBF的区别 |
