IRF7204PBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF7204PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.30 A
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7204
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V
连续漏极电流Ids -5.30 A
上升时间 26 ns
热阻 50℃/W RθJC
输入电容Ciss 860pF @10VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 68 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IRF7204PBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7204PBF | International Rectifier 国际整流器 | P沟道 20V 5.3A | 搜索库存 |
替代型号IRF7204PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7204PBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOIC P-Channel -20V -5.3A | 当前型号 | P沟道 20V 5.3A | 当前型号 |
| 型号： STS5PF30L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC P-Channel 30V 5A 80mΩ | 功能相似 | P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRF7204PBF和STS5PF30L的区别 |