IPD15N06S2L64ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD15N06S2L64ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 47W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 19A
输入电容Ciss 354pF @25VVds
耗散功率Max 47W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD15N06S2L64ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD15N06S2L64ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD15N06S2L64ATMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 55V 19A | 搜索库存 |
替代型号IPD15N06S2L64ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD15N06S2L64ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 55V 19A | 当前型号 | DPAK N-CH 55V 19A | 当前型号 |
| 型号： IPD15N06S2L64ATMA2 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 55V 19A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V | IPD15N06S2L64ATMA1和IPD15N06S2L64ATMA2的区别 |