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IPD50R1K4CEBTMA1

IPD50R1K4CEBTMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 3.1A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPD50R1K4CEBTMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 3.1 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V


IPD50R1K4CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 25 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 178pF @100VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 消费电子产品, Consumer Electronics, Lighting, Power Management, 电源管理, 照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD50R1K4CEBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD50R1K4CEBTMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPD50R1K4CEBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD50R1K4CEBTMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 500V 3.1A

当前型号

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： IPD60R1K4C6ATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 650V 3.2A

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IPD50R1K4CEBTMA1和IPD60R1K4C6ATMA1的区别

型号： IPD50R1K4CEAUMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 500V 4.8A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V

IPD50R1K4CEBTMA1和IPD50R1K4CEAUMA1的区别