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IRFL014NPBF

IRFL014NPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 55V 1.9A

**N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223


立创商城:
N沟道 55V 1.9A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


DeviceMart:
HEXFET Power MOSFET, N채널, Vd = 55V, Rds = 0.16Ω, Id = 1.9A, SOT-223패키지,


IRFL014NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 1.90 A

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

产品系列 IRFL014N

输入电容 190pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 1.90 A

上升时间 7.10 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

高度 1.45 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFL014NPBF引脚图与封装图
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IRFL014NPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道 55V 1.9A 搜索库存
替代型号IRFL014NPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFL014NPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOT-223 N-Channel 55V 1.9A

当前型号

N沟道 55V 1.9A

当前型号

型号: STN3NF06L

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 60V 4A 100mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V

IRFL014NPBF和STN3NF06L的区别

型号: STN3NF06

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 60V 4A 70mΩ 315pF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V

IRFL014NPBF和STN3NF06的区别

型号: IRFL014PBF

品牌: 威世

封装: SOT-223 N-Channel 60V 2.7A

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

IRFL014NPBF和IRFL014PBF的区别