IRF5801TRPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF5801TRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF5801
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 600 mA
输入电容Ciss 88pF @25VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
宽度 1.5 mm
封装 TSOP-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IRF5801TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF5801TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF5801TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | IRF5801TRPBF N沟道MOSFET 600mA/0.6A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 低漏源导通电阻 | 搜索库存 |
替代型号IRF5801TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF5801TRPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOT-163/TSOP-6 N-Channel 200V 600mA | 当前型号 | IRF5801TRPBF N沟道MOSFET 600mA/0.6A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 低漏源导通电阻 | 当前型号 |
| 型号： SI3442BDV-T1-E3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 20V 3A 90mΩ | 功能相似 | N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V G-S MOSFET | IRF5801TRPBF和SI3442BDV-T1-E3的区别 |