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IPD640N06LGBTMA1

IPD640N06LGBTMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD640N06LGBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V

The IPD640N06L G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies SMPS such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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Very low voltage overshoot
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Superior thermal resistance
IPD640N06LGBTMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.047 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 47 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 470pF @30VVds

额定功率Max 47 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Or-ing switches, Motor Drive & Control, 电源管理, Synchronous rectification, 电机驱动与控制, Industrial, Power Management, Alternative Energy, 工业, Isolated DC-DC converters, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD640N06LGBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD640N06LGBTMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD640N06LGBTMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD640N06LGBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存
替代型号IPD640N06LGBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD640N06LGBTMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 60V 18A

当前型号

INFINEON  IPD640N06LGBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V

当前型号

型号： IRFR024NPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-CH 55V 17A

类似代替

INFINEON  IRFR024NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V

IPD640N06LGBTMA1和IRFR024NPBF的区别

型号： FDD5612

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 60V 18A 36mohms 660pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD5612  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.4 V

IPD640N06LGBTMA1和FDD5612的区别

型号： HUFA76409D3ST

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-252 N-Channel 60V 17A 52mohms

功能相似

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

IPD640N06LGBTMA1和HUFA76409D3ST的区别