通道数 1
漏源极电阻 8.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF8714
阈值电压 2.35 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输入电容Ciss 1020pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF8714PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF8714PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC-8 N-Channel 30V 14A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC Tube | 当前型号 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF8714PBF和STS11NF30L的区别 | |
型号: FDS6682 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 14A 5.7mohms 2.31nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6682 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V | IRF8714PBF和FDS6682的区别 | |
型号: STS11N3LLH5 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V | IRF8714PBF和STS11N3LLH5的区别 |