
极性 N-CH
耗散功率 36000 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1200pF @30VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
封装 TO-220
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP230N06L3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220 N-CH 60V 30A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPP230N06L3GXKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-CH 60V 30A | 当前型号 | TO-220 N-CH 60V 30A | 当前型号 | |
型号: IPP093N06N3GXKSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 50A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3GXKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装 | IPP230N06L3GXKSA1和IPP093N06N3GXKSA1的区别 | |
型号: IPP230N06L3G 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB | 功能相似 | 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor | IPP230N06L3GXKSA1和IPP230N06L3G的区别 |