IPB230N06L3GATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 60V 30A

N-Channel 60V 30A Tc 36W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

IPB230N06L3GATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 36000 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1600pF @30VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB230N06L3GATMA1引脚图与封装图

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