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IRFM210BTF_FP001

IRFM210BTF_FP001

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
IRFM210BTF_FP001中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 770 mA

输入电容Ciss 225pF @25VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFM210BTF_FP001引脚图与封装图
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在线购买IRFM210BTF_FP001
型号 制造商 描述 购买
IRFM210BTF_FP001 Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号IRFM210BTF_FP001
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFM210BTF_FP001

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 N-Channel 200V 770mA 1.5ohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: STN4NF20L

品牌: 意法半导体

封装: TO-261-4 N-Channel 200V 1A

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