IRFH8334TR2PBF
数据手册.pdf
International Rectifier
国际整流器
分立器件
额定功率 30 W
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
产品系列 IRFH8334
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1180pF @10VVds
额定功率Max 3.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 5.85 mm
宽度 5 mm
高度 1.17 mm
封装 PowerTDFN-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFH8334TR2PBF | International Rectifier 国际整流器 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |