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IDV02S60C
Infineon(英飞凌) 分立器件
IDV02S60C中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.9V @2A

热阻 8.5℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电流 2 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 11.5 A

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IDV02S60C引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IDV02S60C Infineon 英飞凌 INFINEON  IDV02S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 2 A, 3.2 nC, TO-220FP 搜索库存
替代型号IDV02S60C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IDV02S60C

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220FP

当前型号

INFINEON  IDV02S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 2 A, 3.2 nC, TO-220FP

当前型号

型号: IDH15S120

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-2

类似代替

thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效,且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能,如更高的击穿电场强度和导热性,可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon

IDV02S60C和IDH15S120的区别

型号: IDH10S120

品牌: 英飞凌

封装: TO-220

类似代替

INFINEON  IDH10S120  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 10 A, 36 nC, TO-220

IDV02S60C和IDH10S120的区别

型号: IDH03G65C5

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-2

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IDV02S60C和IDH03G65C5的区别