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IPB65R045C7

IPB65R045C7

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 46A


欧时:
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艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 650V 45mOhm 46A TO263-3 **


IPB65R045C7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 227 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 46A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4340pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB65R045C7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB65R045C7 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存