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IPB65R190CFD

IPB65R190CFD

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB65R190CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


e络盟:
# INFINEON  IPB65R190CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 650V 18A 190mOhm TO263-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263


IPB65R190CFD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.171 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 151 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 17.5A

上升时间 8.4 ns

输入电容Ciss 1850pF @100VVds

额定功率Max 151 W

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB65R190CFD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB65R190CFD Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB65R190CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存