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IPD60R385CP

IPD60R385CP

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD60R385CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 600V 9A


欧时:
### Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab TO-252


儒卓力:
**N-CH 600V 9A 390mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,9A,N沟道功率MOSFET


IPD60R385CP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 9.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

输入电容 790 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 790pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD60R385CP引脚图与封装图
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在线购买IPD60R385CP
型号 制造商 描述 购买
IPD60R385CP Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD60R385CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存