IPD50R520CP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50R520CP中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 520 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 7.10 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 680pF @100VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPD50R520CP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50R520CP | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD50R520CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 550 V, 520 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |