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IPD50R399CP

IPD50R399CP

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD50R399CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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IPD50R399CP


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MOSFET N-CH 550V 9A TO252-3


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MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2 CoolMOS CP


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# INFINEON  IPD50R399CP  MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 550 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V


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500V,9A,N沟道功率MOSFET


IPD50R399CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.36 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 890pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Consumer Electronics, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 通信与网络, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

IPD50R399CP引脚图与封装图
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