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IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道,220V,18A,150mΩ@10V

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


得捷:
HEXFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDSON 0.15Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 150W; VGS +/-20V; -55


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK


IRF640NSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

产品系列 IRF640NS

输入电容 1160pF @25V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 19.0 ns

热阻 1℃/W RθJC

输入电容Ciss 1160pF @25VVds

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRF640NSTRLPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF640NSTRLPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道,220V,18A,150mΩ@10V 搜索库存
替代型号IRF640NSTRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF640NSTRLPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 200V 18A

当前型号

N沟道,220V,18A,150mΩ@10V

当前型号

型号: STB19NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-263-3

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