
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
产品系列 IRF640NS
输入电容 1160pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 19.0 ns
热阻 1℃/W RθJC
输入电容Ciss 1160pF @25VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF640NSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,220V,18A,150mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF640NSTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263-3 N-Channel 200V 18A | 当前型号 | N沟道,220V,18A,150mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STB19NF20 品牌: 意法半导体 封装: TO-263-3 | 功能相似 | STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK | IRF640NSTRLPBF和STB19NF20的区别 | |
型号: IRF640SPBF 品牌: 威世 封装: TO-263-3 N-Channel 200V 18A 180mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRF640NSTRLPBF和IRF640SPBF的区别 | |
型号: IRF640STRRPBF 品牌: 威世 封装: TO-263(D2Pak N-Channel 200V 18A 180mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRF640NSTRLPBF和IRF640STRRPBF的区别 |