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IRF7404TRPBF

IRF7404TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

P沟道,-20V,-7.7A,40mΩ@-10V

**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDSON 0.04Ohm; ID -6.7A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC


IRF7404TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -6.70 A

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7404

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V

连续漏极电流Ids 6.70 A

上升时间 32.0 ns

热阻 50℃/W RθJC

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF7404TRPBF引脚图与封装图
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