额定电压DC 55.0 V
额定电流 4.70 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.043 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7341
阈值电压 1 V
输入电容 780pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
上升时间 3.20 ns
热阻 62.5℃/W RθJA
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IRF7341TRPBF引脚图
IRF7341TRPBF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7341TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7341TRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 55V 4.7A 50mohms | 当前型号 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC | 当前型号 | |
型号: IRF7341PBF 品牌: 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 55V 4.7A | 类似代替 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7341PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, SOIC 新 | IRF7341TRPBF和IRF7341PBF的区别 | |
型号: STS4DNF60L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 60V 4A 55mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V | IRF7341TRPBF和STS4DNF60L的区别 |