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IRFHS8342TR2PBF

IRFHS8342TR2PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 30V 19A 8.8A

N-Channel 30V 8.8A Ta, 19A Tc Surface Mount PG-TSDSON-6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON


立创商城:
N沟道 30V 8.8A 19A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 8.5A; 2.1W; PQFN2X2


IRFHS8342TR2PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.1 W

极性 N-Channel

耗散功率 2.10 W

产品系列 IRFHS8342

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 600pF @25VVds

额定功率Max 2.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerVQFN-6

外形尺寸

封装 PowerVQFN-6

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFHS8342TR2PBF引脚图与封装图
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