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IS42S32200E-7BL

IS42S32200E-7BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS

SDRAM 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
DRAM 64M 2Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V


安富利:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin W-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Win Source:
IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 90FBGA


IS42S32200E-7BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 140 mA

存取时间 5.5 ns

内存容量 8000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S32200E-7BL引脚图与封装图
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在线购买IS42S32200E-7BL
型号 制造商 描述 购买
IS42S32200E-7BL Integrated Silicon SolutionISSI 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS 搜索库存
替代型号IS42S32200E-7BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32200E-7BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 8000000B 5.5ns

当前型号

64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS

当前型号

型号: IS42S32200L-7BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

类似代替

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

IS42S32200E-7BL和IS42S32200L-7BL的区别