ICS621MIT
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
ICS621MIT中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
电源电压 1.14V ~ 1.89V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ICS621MIT引脚图与封装图
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在线购买ICS621MIT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ICS621MIT | Integrated Device Technology 艾迪悌 | 低偏移1至4时钟缓冲器 LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER | 搜索库存 |
替代型号ICS621MIT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ICS621MIT 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： 8-SOIC | 当前型号 | 低偏移1至4时钟缓冲器 LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER | 当前型号 |
| 型号： 621MILFT 品牌： 艾迪悌 封装： SOIC 8Pin | 完全替代 | Clock Fanout Buffer 4Out 1IN 1:4 8Pin SOIC N T/R | ICS621MIT和621MILFT的区别 |